英语缩略词“SGD”经常作为“Source Gate Drain”的缩写来使用,中文表示:“源闸排水”。本文将详细介绍英语缩写词SGD所代表英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外,还有关于缩略词SGD的分类、应用领域及相关应用示例等。
“SGD”(“源闸排水)释义
- 英文缩写词:SGD
- 英文单词:Source Gate Drain
- 缩写词中文简要解释:源闸排水
- 中文拼音:yuán zhá pái shuǐ
- 缩写词流行度:1139
- 缩写词分类:Miscellaneous
- 缩写词领域:Unclassified
以上为Source Gate Drain英文缩略词SGD的中文解释,以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
英文缩略词SGD的扩展资料
-
The asymmetry isolation layer between the source / drain electrodes and the gate used in the experiment results in asymmetric mod-ulation of gate electrostatic field to source electrode and drain electrode. Therefore solo gate electrostatic field modulation to the drain electrode is realized.
实验中采用了源/漏电极不对称的绝缘层结构,使得门电压对源漏两极的电场调制也不对称,从而实现了对漏电极的门电压调制。
-
From the quoted equation for the current between source and drain Ids of the sub-threshold MOSFET, the expression for the voltage between gate and source drain Vgs of the sub-threshold MOSFET is directly got and the temperature characteristic of Vgs is theoretically analyzed.
直接从亚阈值MOSFET漏源电流(即亚阈值电流)的方程中,得到亚阈值MOSFET栅源电压表达式,并分析其温度特性。
上述内容是“Source Gate Drain”作为“SGD”的缩写,解释为“源闸排水”时的信息,以及英语缩略词SGD所代表的英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。