英语缩略词“TSV”经常作为“Through Silicon Via”的缩写来使用，中文表示：“通过硅通过”。本文将详细介绍英语缩写词TSV所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词TSV的分类、应用领域及相关应用示例等。
“TSV”（“通过硅通过）释义
- 英文缩写词：TSV
- 英文单词：Through Silicon Via
- 缩写词中文简要解释：通过硅通过
- 中文拼音：tōng guò guī tōng guò
- 缩写词流行度：7572
- 缩写词分类：Miscellaneous
- 缩写词领域：Unclassified
以上为Through Silicon Via英文缩略词TSV的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
英文缩略词TSV的扩展资料
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An Investigation of Reactive Ion Etching for Through Silicon Via(TSV) Packaging Technology
反应离子刻蚀在穿透硅通孔封装技术中的应用研究
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The methods of3D interconnection can be classified into the wire bonding, flip chip, through silicon via ( TSV ) and film wire technology, whose advantages and disadvantages are analyzed.
将实现3D互连的方法分为引线键合、倒装芯片、硅通孔、薄膜导线等，并对它们的优缺点进行了分析。
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TSV ( Through Silicon Via(TSV) ) is a new interconnected technology that used in high density 3-dimensional packaging.
硅通孔（ThroughSiliconVia，TSV）技术是一种应用于高密度三维封装中的新兴互连技术。
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Aiming at the through silicon via technologies, the significance of this research is presented. 2. The features of micro-EDM are analysed and the model of material removal by single pulse is established.
针对硅通孔互连技术，分析了现有硅微细加工方法存在的技术瓶颈，提出了本文的研究内容和意义；2.分析了低电阻率单晶硅微细电火花加工的机理，建立了单脉冲材料蚀除模型。
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It is also necessary to do thermo-mechnical modeling of thermal through silicon via ( TTSV ) and thin stack die ( including adhesive and interposer ) and the impact on active devices and interconnect.
有必要进行热硅通孔和薄的堆叠晶片（包括粘结层或者中介层）的热-力建模及其对有源器件和互连线影响的研究。
上述内容是“Through Silicon Via”作为“TSV”的缩写，解释为“通过硅通过”时的信息，以及英语缩略词TSV所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。
