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“IVD”是“Ion Vapor Deposition”的缩写,意思是“离子气相沉积”

学术与科学类作者 AOETC

英语缩略词“IVD”经常作为“Ion Vapor Deposition”的缩写来使用,中文表示:“离子气相沉积”。本文将详细介绍英语缩写词IVD所代表英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外,还有关于缩略词IVD的分类、应用领域及相关应用示例等。

“IVD”(“离子气相沉积)释义

  • 英文缩写词:IVD
  • 英文单词:Ion Vapor Deposition
  • 缩写词中文简要解释:离子气相沉积
  • 中文拼音:lí zǐ qì xiāng chén jī
  • 缩写词流行度:6239
  • 缩写词分类:Academic & Science
  • 缩写词领域:Chemistry

以上为Ion Vapor Deposition英文缩略词IVD的中文解释,以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。

英文缩略词IVD的扩展资料

  1. Strengthening effect and acting mechanics of RE elements were mainly studied in diffusing implantation, ion infiltration and vapor deposition.
    扩散渗入中,稀土元素主要起到催渗和微合金化的作用;
  2. DLC films were deposited at 120 ℃ using ion beam implantation assisted vapor deposition of mineral oil.
    采用碳离子束注入辅助蒸发矿物油的方法在120℃低温沉积了DLC薄膜;
  3. Phosphine ( PH3 ) is an important electronic specific gas which is mainly used in fields of N-type semiconductor doping, ion implement and chemical vapor deposition ( CVD ) etc.
    磷化氢(PH3)是一种重要的电子特气,主要用于n型半导体的掺杂、离子注入和化学气相沉积(CVD)等。
  4. Progress in Preparation of Thin Film Electrodes for Lithium Ion Batteries by Physical Vapor Deposition
    物理气相沉积制备锂离子电池正极薄膜研究进展
  5. The various preparation methods of a-C : H thin films, including plasma deposition, ion beam deposition, sputtering and chemical vapor deposition, were described in detail in this paper.
    本文详细介绍了a-C∶H薄膜的各种制备方法,包括等离子体淀积法、离子束法、溅射法和化学汽相淀积法等,给出了某些典型的实验条件。

上述内容是“Ion Vapor Deposition”作为“IVD”的缩写,解释为“离子气相沉积”时的信息,以及英语缩略词IVD所代表的英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。

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