英语缩略词“FRAM”经常作为“Ferroelectric Random Access Memory”的缩写来使用,中文表示:“铁电随机存取存储器”。本文将详细介绍英语缩写词FRAM所代表英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外,还有关于缩略词FRAM的分类、应用领域及相关应用示例等。
“FRAM”(“铁电随机存取存储器)释义
- 英文缩写词:FRAM
- 英文单词:Ferroelectric Random Access Memory
- 缩写词中文简要解释:铁电随机存取存储器
- 中文拼音:tiě diàn suí jī cún qǔ cún chǔ qì
- 缩写词流行度:4496
- 缩写词分类:Computing
- 缩写词领域:Hardware
以上为Ferroelectric Random Access Memory英文缩略词FRAM的中文解释,以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
英文缩略词FRAM的扩展资料
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Ferroelectric Films and Ferroelectric Random Access Memory(FRAM)
铁电薄膜及铁电存储器研究
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Implementation of a Ferroelectric Capacitor in Ferroelectric Random Access Memory(FRAM)
铁电电容模型及其在铁电存储器中的应用
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The data storage principle and applications in other relative trades of a new nonvolatile ferroelectric random access memory ( FRAM ), which has the characteristic of anti-HEMP ( high electromagnetic pulse ) and will not lose information or data when power off, are introduced in this paper.
介绍了一种新型非易失性存储器(FRAM)的数据存储原理、特性及其在相关行业的应用。
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BIT-based ferroelectric thin films have excellent ferroelectric / dielectric properties and promising application prospect in non-volatile random access memory.
钛酸铋基铁电薄膜具有优良的铁电、介电性能,在非挥发性存储器件方面有很好的应用前景。
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Researchers now put more focus on non-volatile memory device, such as magnetic memory device, ferroelectric memory device, phase-transition memory device, and resistance random access memory.
目前,研究者们更多的把关注的重点放在了新型非易失性存储器上,例如磁存储器、铁电存储器、相变存储器、电阻存储器。
上述内容是“Ferroelectric Random Access Memory”作为“FRAM”的缩写,解释为“铁电随机存取存储器”时的信息,以及英语缩略词FRAM所代表的英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。