英语缩略词“SCE”经常作为“Short Channel Effect”的缩写来使用,中文表示:“短通道效应”。本文将详细介绍英语缩写词SCE所代表英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外,还有关于缩略词SCE的分类、应用领域及相关应用示例等。
“SCE”(“短通道效应)释义
- 英文缩写词:SCE
- 英文单词:Short Channel Effect
- 缩写词中文简要解释:短通道效应
- 中文拼音:duǎn tōng dào xiào yìng
- 缩写词流行度:2708
- 缩写词分类:Academic & Science
- 缩写词领域:Electronics
以上为Short Channel Effect英文缩略词SCE的中文解释,以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
英文缩略词SCE的扩展资料
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The model includes the substrate bias effect, the short channel effect and the relation between these two effects.
它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。
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It was also shown that the novel device could suppress the short channel effect, drain-induced barrier lowering effect.
同时用实验结果表明,新结构器件能够有效抑制短沟道效应(SCE)、减小漏感应势垒降低效应(DIBL)等。
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An analytical subthreshold surface potential model for the DMG SOI MOSFET with high k gate dielectrics, which accounts for the short channel effect and the fringing field effect, has been developed.
还研究了高k栅介质对DMGSOIMOSFET的影响,为高k栅介质DMGSOIMOSFET建立了表面势模型,模型中考虑了边缘电场效应和短沟道效应。
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Schottky source and drain junctions are a promising structure to minimize the MOSFET short channel effect.
采用Schottky结源漏结构是克服传统MOSFET器件短沟效应的一种有效方法。
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The research results indicate that with the increase of the concave corner, the negative junction depth and the doping density of channel, the hot carrier effect immunity is enhanced; the threshold voltage increases and the short channel effect is suppressed.
研究发现,随着凹槽拐角、负结深的增大和沟道杂质浓度的提高,器件的抗热载流子能力增强,阈值电压升高,对短沟道效应的抑制作用增强。
上述内容是“Short Channel Effect”作为“SCE”的缩写,解释为“短通道效应”时的信息,以及英语缩略词SCE所代表的英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。