“MBE”是“Molecular Beam Epitaxy”的缩写，意思是“分子束外延”

英语缩略词“MBE”经常作为“Molecular Beam Epitaxy”的缩写来使用，中文表示：“分子束外延”。本文将详细介绍英语缩写词MBE所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词MBE的分类、应用领域及相关应用示例等。

“MBE”（“分子束外延）释义

以上为Molecular Beam Epitaxy英文缩略词MBE的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。

I will discuss how Molecular Beam Epitaxy(MBE) ( MBE ) was invented, its current status, and future developments.
我将介绍分子束磊晶技术（MBE）的发明经过、现况、和将来的发展。
Mid-infrared photoluminescence of PbSe / PbSrSe multiple quantum wells grown by molecular beam epitaxy
MBE生长PbSe/PbSrSe量子阱结构的光致中红外发光的研究
Magnetic and electrical properties of Fe_3O_4 thin films on MgO ( 100 ) substrates by laser molecular beam epitaxy
Fe3O4/MgO（100）薄膜的激光分子束外延(MBE)与磁电学性能
Study of Structure and Optical Characteristics of GaAs / GaN Grown by Molecular Beam Epitaxy(MBE)
MBE生长GaAs/GaN薄膜结构与光学特性研究
The hetero epitaxial growth of GaSb on GaAs substrates by molecular beam epitaxy ( MBE ) was investigated.
研究了用分子束外延(MBE)（MBE）在GaAs衬底上生长GaSb薄膜的工艺。

上述内容是“Molecular Beam Epitaxy”作为“MBE”的缩写，解释为“分子束外延”时的信息，以及英语缩略词MBE所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。

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