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“RTCVD”是“Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition”的缩写,意思是“Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition”

学术与科学类作者 AOETC

英语缩略词“RTCVD”经常作为“Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition”的缩写来使用,中文表示:“Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition”。本文将详细介绍英语缩写词RTCVD所代表英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外,还有关于缩略词RTCVD的分类、应用领域及相关应用示例等。

“RTCVD”(“Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition)释义

  • 英文缩写词:RTCVD
  • 英文单词:Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition
  • 缩写词中文简要解释:Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition
  • 缩写词分类:Academic & Science
  • 缩写词领域:Electronics

以上为Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition英文缩略词RTCVD的中文解释,以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。

英文缩略词RTCVD的扩展资料

  1. 以 SSP 为 衬底 , 采用 快速 热化学 气 相 沉积 ( RTCVD ) 法 生长 多晶硅 薄膜 , 并 以此 制作 出 效率 为 293% 的 颗粒 硅 带 多晶硅 薄膜 太阳 电池 , 这 在 国内 属 首先 。
    ThepolycrystallinethinfilmsweregrownbyRapidThermalChemicalVaporDeposition(RTCVD)onSSPribbons,andthepolycrystallinesiliconthinfilmsolarcellonSSPsubstratewasprepared.Theefficiencyofthecellreaches293%.
  2. 多晶硅 薄膜 的 快速 热化学 气 相 沉积
    Rapidthermalchemicalvapordepositionofpolycrystallinesiliconthinfilms
  3. 在 重 掺杂 非 活性 单晶硅 片 上 生长 一定 厚度 的 SiO2 , 开 窗口 后 作为 衬底 , 利用 快速 热化学 气 相 沉积 ( RTCVD ) 及 区 熔 再 结晶 ( ZMR ) 方法 制 备 多晶硅 薄膜 太阳 电池 。
    AftergrowingSiO2layerwithacertainthicknessonheavydiffusioninactiveCSiwafer,openingwindows,thenfabricatingpolycrystallinesiliconthinfilmsolarcellsonitwithRapidThermalChemicalVaporDeposition(RTCVD)andZoneMeltRecrystallization(ZMR)method.
  4. 采用 新近 研制 的 高 真空 / 快速 热 处理 / 化学 气 相 淀积 ( HV/RTP/CVD ) 系统 生长 了 应变 SiGe 材料 。
    ThestrainedSiGematerialhasbeengrownbyusingthenewlydevelopedHighVacuum/RapidThermalProcessing/ChemicalVaporDeposition(HV/RTP/CVD)system.

上述内容是“Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition”作为“RTCVD”的缩写,解释为“Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition”时的信息,以及英语缩略词RTCVD所代表的英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。

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