“RIE”是“Reactive Ion Etching”的缩写，意思是“反应离子刻蚀”

英语缩略词“RIE”经常作为“Reactive Ion Etching”的缩写来使用，中文表示：“反应离子刻蚀”。本文将详细介绍英语缩写词RIE所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词RIE的分类、应用领域及相关应用示例等。

“RIE”（“反应离子刻蚀）释义

以上为Reactive Ion Etching英文缩略词RIE的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。

An Investigation of Reactive Ion Etching(RIE) for Through Silicon Via Packaging Technology
反应离子刻蚀(RIE)在穿透硅通孔封装技术中的应用研究
Inductively coupled plasma reactive ion etching of InSb photovoltaic detector arrays
InSb阵列探测芯片的感应耦合等离子反应刻蚀研究
Study on fabrication of silicon-based photon crystal slab with lithography and reactive ion etching is carried out.
用光刻和反应离子刻蚀(RIE)的方法对硅材料光子晶体板的制作进行了研究。
Reactive ion etching of polysilicon using SF6 + Ar reactive gas is investigated.
本文对以SF6+Ar为反应气体的反应离子刻蚀(RIE)（RIE）多晶硅工艺进行了研究。
CH_4 / H_2 mixtures can be used for reactive ion etching of InP at room temperature.
CH4/H1混合气可以在室温下对InP进行反应离子腐蚀。

上述内容是“Reactive Ion Etching”作为“RIE”的缩写，解释为“反应离子刻蚀”时的信息，以及英语缩略词RIE所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。

声明：本站英语缩略词，如无特殊说明或标注，均为AOETC收集。任何个人或组织，在未征得本站同意时，禁止复制、盗用、采集、发布本站英文缩略词RIE的信息到任何网站、书籍等各类媒体平台。如若本站内容侵犯了原著者的合法权益，可联系我们进行处理。