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“LDD”是“Lightly Doped Drain”的缩写,意思是“轻掺杂漏极”

学术与科学类作者 AOETC

英语缩略词“LDD”经常作为“Lightly Doped Drain”的缩写来使用,中文表示:“轻掺杂漏极”。本文将详细介绍英语缩写词LDD所代表英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外,还有关于缩略词LDD的分类、应用领域及相关应用示例等。

“LDD”(“轻掺杂漏极)释义

  • 英文缩写词:LDD
  • 英文单词:Lightly Doped Drain
  • 缩写词中文简要解释:轻掺杂漏极
  • 中文拼音:qīng chān zá lòu jí
  • 缩写词流行度:5422
  • 缩写词分类:Academic & Science
  • 缩写词领域:Electronics

以上为Lightly Doped Drain英文缩略词LDD的中文解释,以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。

英文缩略词LDD的扩展资料

  1. The lightly doped drain MOSFET made basically by domestic equipment has been described.
    本文描述了以国产设备为基础研制出的轻掺杂漏MOSFET。
  2. Investigation of the Lightly Doped Drain(LDD) ( LDD ) MOSFET Technology
    轻掺杂漏(LDD)MOSFET工艺研究
  3. A new structure of gate_modulated lightly doped drain of TFT was proposed. It is very effective to lower gate_induced drain_leakage current of the TFTs when a higher source drain voltage is applied to it.
    在进一步的研究中,设计了一种新型的栅控轻掺杂漏区(GMLDD)结构,有效地解决了在较高源漏电压下的栅诱导漏电问题。
  4. The tested results indicated that the lightly doped drain MOSFET can resist the hot carrier effect and short channel effect effectively, and havs a fast speed.
    测试结果表明,轻掺杂漏MOSFET能够有效地抗热载流子效应及短沟道效应,速度也较快。
  5. For the purpose of reducing off-state current, lightly doped drain ( LDD ) structures were used in a p-Si TFT LCD.
    针对多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件关态漏电流较大的问题,采用源漏轻掺杂结构以降低关态时电荷的泄漏,增加晶体管的开关电流比值。

上述内容是“Lightly Doped Drain”作为“LDD”的缩写,解释为“轻掺杂漏极”时的信息,以及英语缩略词LDD所代表的英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。

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