“ISD”是“Interface State Density”的缩写，意思是“界面状态密度”

英语缩略词“ISD”经常作为“Interface State Density”的缩写来使用，中文表示：“界面状态密度”。本文将详细介绍英语缩写词ISD所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词ISD的分类、应用领域及相关应用示例等。

“ISD”（“界面状态密度）释义

以上为Interface State Density英文缩略词ISD的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。

An effective way of decreasing bulk electron trap density and interface state density is put forward.
提出降低体电子陷阱密度和界面态密度的有效途径。
The effect of interface state charges on the threshold voltage, drain current, transconductance and field-effect mobility of n-channel SiC MOSFET is analyzed with numerical method by establishing the model of the interface state density exponential distribution.
建立界面态密度的指数分布模型，用数值方法较为详细的分析了界面态电荷对n沟MOSFET器件阈值，漏电流，跨导和场效应迁移率的影响。
The effect of interface state charges on the field effect mobility of n channel 6H SiC MOSFET is analyzed based on the nonuniform distribution of interface state density in the energy gap.
针对界面态密度在禁带中的不均匀分布，分析了界面态电荷对n沟6H碳化硅MOSFET场效应迁移率的影响。
A Direct Display Method for Measuring MOS Interface State Density(ISD) Distribution
MOS系统界面态密度分布的一种直接显示法
In this paper the series resistance for silicon MIS / IL solar cells related with the thickness of evaporated SiO coating, the fixed positive charge density in the coating and the interface state density has been indicated.
本文讨论了MIS/IL太阳电池的串联电阻与蒸发SiO膜厚度、膜中的固定正电荷密度、界面态密度之间的关系。

上述内容是“Interface State Density”作为“ISD”的缩写，解释为“界面状态密度”时的信息，以及英语缩略词ISD所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。

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