英语缩略词“InAs”经常作为“Indium Arsenide”的缩写来使用，中文表示：“砷化铟”。本文将详细介绍英语缩写词InAs所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词InAs的分类、应用领域及相关应用示例等。

“InAs”（“砷化铟）释义

• 英文缩写词：InAs
• 英文单词：Indium Arsenide
• 缩写词中文简要解释：砷化铟
• 中文拼音：shēn huà yīn
• 缩写词流行度：9873
• 缩写词分类：Academic & Science
• 缩写词领域：Electronics

以上为Indium Arsenide英文缩略词InAs的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。

英文缩略词InAs的扩展资料

1. As one of the III-V group materials, InAs ( indium arsenide ) is an important narrow direct band semiconductor. It has high electron mobility, low electron effective mass and a large exciton Bohr radius.
   InAs是Ⅲ-Ⅴ族材料中一种重要的窄直接带隙半导体，具有高电子迁移率，低有效质量以及很大的激子玻尔半径。
2. X-ray measurement of the thermal expansion of germanium, silicon, indium antimonide and gallium arsenide
   锗、硅、锑化铟和砷化镓的热膨涨&用X射线衍射法测量

上述内容是“Indium Arsenide”作为“InAs”的缩写，解释为“砷化铟”时的信息，以及英语缩略词InAs所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。