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“HCI”是“Hot Carrier Injection”的缩写,意思是“热载体注入”

学术与科学类作者 AOETC

英语缩略词“HCI”经常作为“Hot Carrier Injection”的缩写来使用,中文表示:“热载体注入”。本文将详细介绍英语缩写词HCI所代表英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外,还有关于缩略词HCI的分类、应用领域及相关应用示例等。

“HCI”(“热载体注入)释义

  • 英文缩写词:HCI
  • 英文单词:Hot Carrier Injection
  • 缩写词中文简要解释:热载体注入
  • 中文拼音:rè zài tǐ zhù rù
  • 缩写词流行度:2035
  • 缩写词分类:Academic & Science
  • 缩写词领域:Electronics

以上为Hot Carrier Injection英文缩略词HCI的中文解释,以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。

英文缩略词HCI的扩展资料

  1. Step channel direct injection ( SCDI ) flash memory device which had been developed changes the hot carrier injection method by making a shallow step in the middle of channel. Therefore high speed for programming, high efficiency for injection, and lower working voltage are obtained.
    研制成一种台阶沟道直接注入(SCDI)器件,通过在沟道的中间制作一个浅的台阶来改变热载流子的注入方式,从而获得了高的编程速度和注入效率,降低了工作电压。
  2. Based on the formation theories of interface traps and oxide traps in Si-SiO2, further more the influences of hot carrier injection on 1 / f γ noise are discussed thoroughly.
    基于Si/SiO2界面态和氧化层陷阱形成理论,深入讨论了该类器件热载流子注入对1/fγ的影响,提出了用噪声参数S?
  3. A hot carrier injection degradation model for a DSM ( deep submicron ) pMOS device is studied, which is based on the physical model of a degradation gate current.
    研究了一种建立在退化栅电流物理解析模型基础上的深亚微米pMOS器件HCI(hotcarrierinjection)退化模型。
  4. MOSFET ′ s Damage Induced by Hot Carrier Injection(HCI) and Its Annealing
    MOSFET的热载流子损伤及其退火
  5. Effects of Channel Hot - Carrier Injection s in NMOSFET's at 77K
    77KNMOSFET沟道热载流子注入效应

上述内容是“Hot Carrier Injection”作为“HCI”的缩写,解释为“热载体注入”时的信息,以及英语缩略词HCI所代表的英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。

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