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“FRAM”是“Ferroelectric Random Access Memory”的缩写,意思是“铁电随机存取存储器”

学术与科学类作者 AOETC

英语缩略词“FRAM”经常作为“Ferroelectric Random Access Memory”的缩写来使用,中文表示:“铁电随机存取存储器”。本文将详细介绍英语缩写词FRAM所代表英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外,还有关于缩略词FRAM的分类、应用领域及相关应用示例等。

“FRAM”(“铁电随机存取存储器)释义

  • 英文缩写词:FRAM
  • 英文单词:Ferroelectric Random Access Memory
  • 缩写词中文简要解释:铁电随机存取存储器
  • 中文拼音:tiě diàn suí jī cún qǔ cún chǔ qì
  • 缩写词流行度:4496
  • 缩写词分类:Academic & Science
  • 缩写词领域:Electronics

以上为Ferroelectric Random Access Memory英文缩略词FRAM的中文解释,以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。

英文缩略词FRAM的扩展资料

  1. Ferroelectric Films and Ferroelectric Random Access Memory(FRAM)
    铁电薄膜及铁电存储器研究
  2. Implementation of a Ferroelectric Capacitor in Ferroelectric Random Access Memory(FRAM)
    铁电电容模型及其在铁电存储器中的应用
  3. The data storage principle and applications in other relative trades of a new nonvolatile ferroelectric random access memory ( FRAM ), which has the characteristic of anti-HEMP ( high electromagnetic pulse ) and will not lose information or data when power off, are introduced in this paper.
    介绍了一种新型非易失性存储器(FRAM)的数据存储原理、特性及其在相关行业的应用。
  4. BIT-based ferroelectric thin films have excellent ferroelectric / dielectric properties and promising application prospect in non-volatile random access memory.
    钛酸铋基铁电薄膜具有优良的铁电、介电性能,在非挥发性存储器件方面有很好的应用前景。
  5. Researchers now put more focus on non-volatile memory device, such as magnetic memory device, ferroelectric memory device, phase-transition memory device, and resistance random access memory.
    目前,研究者们更多的把关注的重点放在了新型非易失性存储器上,例如磁存储器、铁电存储器、相变存储器、电阻存储器。

上述内容是“Ferroelectric Random Access Memory”作为“FRAM”的缩写,解释为“铁电随机存取存储器”时的信息,以及英语缩略词FRAM所代表的英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。

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